NTH4L040N120M3S / NTHL022N120M3S SiC MOSFET

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            NTH4L040N120M3S / NTHL022N120M3S SiC MOSFET  
                    onsemi 的 NTH4L040N120M3S 和 NTHL022N120M3S SiC MOSFET 適用於快速切換型應用

onsemi 的 NTH4L040N120M3S 和 NTHL022N120M3S SiC Mosfets 的圖片 onsemi 的碳化矽 (SiC) MOSFET 系列、1200 V M3S 平面 EliteSiC 和 SiC MOSFET 針對快速切換型應用最佳化。平面技術可在負閘極電壓驅動下可靠地運作，並可消除閘極上的尖波。這款 EliteSiC 和 SiC 系列在使用 18 V 閘極驅動時具有最佳的效能，但也適用於 15 V 的閘極驅動。

特點

NTH4L040N120M3S

典型 R_DS(on) = 40 m @ V_GS = 18 V
超低閘極電荷 (Q_G(tot) = 75 nC)
低電容量的高速切換能力 (C_oss = 80 pF)
通過 100% 突崩測試
無鹵化物且符合 RoHS 豁免條款 7(a)、無鉛二級互連 (2LI)

NTHL022N120M3S

典型 R_DS(on) = 22 m @ V_GS = 18 V
超低閘極電荷 (Q_G(tot) = 137 nC)
低的有效輸出電容 (C_oss = 146pF)
通過 100% 突崩測試
無鹵化物且符合 RoHS 豁免條款 7(a)，無鉛 2LI

應用

太陽能逆變器
電動車充電站
不斷電系統 (UPS)

儲能系統
切換式電源供應器 (SMPS)

NTH4L040N120M3S/NTHL022N120M3S SiC MOSFETs

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