onsemi

FGH4L50T65MQDC50 IGBT

onsemi 的 FGH4L50T65MQDC50 是具有共同封裝 SiC 二極體的 650 V 場截止第四代中速 IGBT

onsemi 的 FGH4L50T65MQDC50 絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 的圖片onsemi 強大的 FGH4L75T65MQDC50 IGBT 利用突破性的 IGBT 和 SiC 肖特基二極體技術提供無與倫比的效率，在工業任務中佔據主導地位。使用者能以最少的能量損耗處理高要求的操作，體驗真正的工業級動力。

特點
  • 正溫度係數
  • 低 VCE(sat)
  • 低 Eon 和 Eoff
應用
  • 太陽能逆變器
  • UPS
  • 儲能系統
  • PFC
  • 電動車充電站

FGH4L50T65MQDC50 IGBT

圖片製造商零件編號說明現有數量價格查看詳情
IGBT FS 650V 100A TO-247-4LFGH4L50T65MQDC50IGBT FS 650V 100A TO-247-4L318 - 即時供貨$89.65查看詳情
發佈日期： 2024-02-01

Related Product Highlight

單閘雙極電晶體 (IGBT) onsemi 單絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 經過精心設計，可在各種應用中提供卓越的效能與效率。