onsemi EliteSiC

已開發出內部供應鏈，確保 SiC 元件可持續供應給客戶，以支援永續生態系統的快速成長。

onsemi EliteSiC 可滿足太陽能逆變器、電動車充電器、不斷電系統等嚴苛應用的需求。這些元件是節能碳化矽 (SiC) 二極體、MOSFET、模組、閘極驅動器的全面產品組合。

特點

  • 經過實證的品質／堅固的平面設計
    • 製程控制和預燒
    • 製造過程中的缺陷掃描
    • 所有晶片皆通過 100% 突崩測試
    • 閾值或參數無漂移
    • 高可靠性閘極氧化層
    • 汽車認證 AEC-Q100
  • 同級最佳設計工具
    • 實體且可擴展的精準模擬模型
    • 應用說明和設計指南
  • 全整合式製造
    • 將粉末製成產品
  • 適用於所有價值和封裝的汽車或工業級
  • 第三代 SiC 產品
    • 針對高溫依賴性進行最佳化
      • 二極體，低串聯電阻溫度依賴性
      • MOSFET，在整個溫度範圍內維持穩定的逆向恢復
    • 改善寄生電容，適合高頻率、高效率應用
    • 大晶片，低 RDS(on)
  • 提供廣泛的標準和客製化功率整合模組 (PIM)
  • 採用 3 引線、4 引線封裝的多種電壓和 RDS(on) 產品組合

其他資源

Hunter Freberg 主持的 SiC 網路研討會

二極體

這些產品採用全新的技術，比起矽產品，可提供更優異的切換效能與更高的可靠度。

MOSFET

這些產品既快速又耐用，具有高效率、小系統尺寸、低成本等系統優勢。

IGBT

絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 在高效能電源轉換應用中提供最大的可靠性。

二極體

這些產品採用全新的技術，比起矽產品，可提供更優異的切換效能與更高的可靠度。

D1

特點：

  • 650 V、1200 V、1700 V 電壓
  • D2PAK2、D2PAK3、TO-220-2、TO-247-2、TO-247-3 封裝
  • 大晶片尺寸，低熱阻 (Rth)
  • 針對高非重複性順向突波電流 (IFSM) 進行最佳化
  • Vienna 整流器輸入級應用

D2

特點：

  • 650 V 電壓
  • DPAK-3、D2PAK-2、D2PAK-3、PQFN-4、TO-220-2、TO-220-3、TO-247-2、TO-247-3 封裝
  • 低電容式電荷 (QC)
  • 針對低順向電壓的高速切換進行最佳化
  • PFC 和輸出整流應用

D3

特點：

  • 1200 V 電壓
  • TO-247-2LD、TO-247-3LD 封裝
  • 低電容式電荷 (QC) 和順向電壓 (VF)
  • 針對高溫運作進行最佳化，串聯電阻溫度依賴性低
  • 更高功率 PFC 和輸出整流應用

MOSFET

這些產品既快速又耐用，具有高效率、小系統尺寸、低成本等系統優勢。

M1

特點：

  • 1200 V 和 1700 V 電壓
  • D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD、裸晶封裝
  • +22 V/-10 V 最大閘極源極電壓
  • 低 RDS(on) 和高短路耐受時間 (SCWT)
  • 在切換損耗和導通損耗之間取得平衡
  • 可用於替代 1200 V IGBT

M2

特點：

  • 650 V、750 V、1200 V 電壓
  • D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD、TO-247-4LD 封裝
  • +22 V/-8 V 最大閘極源極電壓
  • 低 RDS(on) 和高短路耐受時間 (SCWT)
  • 針對低切換速度應用的最低 RDS(on) 進行最佳化
  • 可用於替代 SuperFET™

M3S

特點：

  • 針對具有硬切換拓撲的高切換頻率應用進行最佳化
  • 與同類 1200 V 20 mΩ M1 相比，總切換損耗 (Etot) 降低約 40%
  • 太陽能、車載充電器、電動車充電站應用
  • 無短路能力

M3P

特點：

  • 1200 V 電壓
  • D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD 封裝
  • +22 V/-10 V 最大閘極源極電壓
  • 改善寄生電容 (Coss、Ciss、Crss)
  • 針對高溫運作進行最佳化，在整個溫度範圍內具有穩定的逆向恢復 (1200 V 22 mΩ M3S 相較於 1200 V 20 mΩ，Qrr 降低約 46%)
  • 可用於替代 1200 V IGBT

IGBT

絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 在高效能電源轉換應用中提供最大的可靠性。

FS4

特點：

  • TJ = 175°C 最高接面溫度
  • 正溫度係數可輕鬆進行並聯操作
  • 高電流能力
  • VCE(Sat) = 1.6 V (典型值)@ IC = 最高 75 A 的低飽和電壓
  • 所有零件皆通過 ILM 測試
  • 快速切換
  • 緊密的參數分布
  • 無逆向恢復／無順向恢復
  • 符合 AEC-Q101 標準並滿足 PPAP 要求