MMRF5017HS RF 功率 GaN 電晶體

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            MMRF5017HS RF 功率 GaN 電晶體
  
                    NXP 的 MMRF5017HS 具有高增益及高耐用度，因此非常適合用於連續波、脈衝和寬頻 RF 應用

NXP 的 MMRF5017HS RF 功率 GaN 電晶體圖片 NXP 的 MMRF5017HS 125 W RF 功率 GaN 電晶體可介於 30 MHz 至 2200 MHz 的寬頻操作，並且非常適合 CW、脈衝和寬頻 RF 應用。針對 30 MHz 至 2200 MHz 頻帶操作的應用達到保證效能。

特點
先進的 GaN-on-SiC，提供高功率密度十年頻寬效能輸入匹配，達到延伸的廣頻效能		高耐用度：大於 10:1 VSWR 符合 RoHS 指令
應用
公共行動無線電，包括緊急服務的無線電工業、科學和醫療		廣頻實驗室放大器無線行動基礎架構