LDMOS RF 功率電晶體

NXP 的 LDMOS RF 功率電晶體採用標準 TO-247 及 TO-220 封裝

NXP 的 LDMOS RF 功率電晶體圖片NXP Semiconductors 推出兩款電源塊,可望擴大 RF 功率產業並成為未來幾年的標準。這些 LDMOS 電晶體的精簡架構,在於能以普遍的 TO-247 和 TO-220 功率封裝提供 RF 功率,因此相當容易安裝。採用 TO-247 和 TO-220 封裝,因此能透過簡易通孔式技術安裝 RF 功率電晶體,無需複雜的迴流焊接製程,能大幅簡化製造工序。小型參考電路可重複使用於 1.8 MHz 至 250 MHz,因而能為大多數 HF 和 VHF 系統大幅節省成本,並簡化供應鏈。

特點
  • PA 設計重複使用頻率
    • MRF300AN 由一系列共用相同 PCB 佈局 (2" x 3” 或 5.1 cm x 7.1 cm) 的窄頻參考電路所支援,使 RF 設計人員能夠作出功率放大器以快速處理其他頻率
  • 兩種引腳配置,可進行廣頻設計
    • 100 W 和 300 W 的解決方案均採用 2 引腳配置版本,相互對應,以支援推挽式配置
  • 低成本且彈性的安裝
    • 含多種安裝選項,提供絕佳彈性,可進一步降低物料清單和加速上市時間
    • 採用普遍的 TO-247 和 TO-220 封裝,因此能透過簡易通孔式技術安裝 RF 功率電晶體,無需複雜的迴流焊接製程,能大幅提升製造可用性。
應用
  • 工業、科學和醫療 (ISM)
    • 雷射產生
    • 電漿蝕刻
    • 微粒加速器
    • MRI 及其他醫療應用
    • 工業加熱、熔接和乾燥系統
  • 廣播
    • 無線電廣播
    • VHF TV 廣播
  • 切換式電源供應器
  • 航太
    • VHF 全向性範圍 (VOR)
    • HF 和 VHF 通訊
    • 雷達
  • 行動無線電
    • VHF 與 UHF 基地台
    • 業餘無線電

LDMOS RF Power Transistors

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發佈日期: 2018-06-20