100 W RF 功率電晶體 (採用 TO-220 封裝)

NXP 的 RF LDMOS 電晶體可簡化製造過程,具有業界標準封裝類型,並提供多種引腳配置選項

NXP 的 100 W RF 功率電晶體 (採用 TO-220 封裝) 圖片NXP 的 MRF101AN 和 MRF101BN 100 W RF 功率電晶體在設計上適用於 VHF/UHF 通訊、VHF TV 廣播與航太應用,以及工業、科學和醫療應用。這些元件非常耐用,具有高達 250 MHz 的高效能。

LDMOS 技術現在可用於無處不在的 TO-220 功率封裝中的 RF 電晶體,使客戶能夠利用完善的組裝製程。這些電晶體提供非常小型的參考電路,可重複使用於 1.8 MHz 至 250 MHz,因此能節省大量成本並加快產品上市時間。

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影片:NXP 為 RF 功率帶來標準封裝

特點
  • 100 W 功率額定值 (連續波)
  • 1.8 MHz 至 250 MHz
  • 50 V LDMOS
  • 無可比擬的輸入和輸出
  • 1.1°C/W 熱阻
  • 極致耐用度:能處理 65:1 VSWR
  • 保證至少在 2033 年之前可用
  • 標準 TO-220 包覆成型塑膠封裝,可提供低成本、彈性的安裝選項
  • 參考電路共用相同的 PCB 佈局,可以在頻率上重複使用設計
  • 鏡像的引腳配置,可支援推挽式設計
應用
  • 工業、科學和醫療 (ISM)
    • 雷射產生
    • 電漿蝕刻
    • 微粒加速器
    • MRI 及其他醫療應用
    • 工業加熱、熔接和乾燥
  • 廣播
    • 無線電廣播
    • VHF TV 廣播
  • 行動無線電
    • VHF 基地台
  • HF 和 VHF 通訊
  • 切換式電源供應器

Reference Circuits

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RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3MRF101AN-STARTRF MOSFET LDMOS 50V TO220-30 - 即時供貨See Page for Pricing查看詳情
發佈日期: 2019-01-04