100 W RF 功率電晶體 (採用 TO-220 封裝)
NXP 的 RF LDMOS 電晶體可簡化製造過程,具有業界標準封裝類型,並提供多種引腳配置選項
NXP 的 MRF101AN 和 MRF101BN 100 W RF 功率電晶體在設計上適用於 VHF/UHF 通訊、VHF TV 廣播與航太應用,以及工業、科學和醫療應用。這些元件非常耐用,具有高達 250 MHz 的高效能。
LDMOS 技術現在可用於無處不在的 TO-220 功率封裝中的 RF 電晶體,使客戶能夠利用完善的組裝製程。這些電晶體提供非常小型的參考電路,可重複使用於 1.8 MHz 至 250 MHz,因此能節省大量成本並加快產品上市時間。
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Reference Circuits
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![]() | ![]() | MRF101AN-START | RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3 | 0 - 即時供貨 | See Page for Pricing | 查看詳情 |





