Microchip Technology

mSiC™ 離散式 MOSFET 系列

Microchip 高電壓碳化矽 MOSFET 非常適合用於堅固耐用且高效率的電力轉換

Microchip mSiC™ 離散式 MOSFET 系列的圖片Microchip mSiC™ MOSFET 系列是專為需要高效率、小巧尺寸、強大可靠性的中高電壓電力系統而設計。這些元件採用碳化矽技術，以降低導通與切換損耗，相較於矽 MOSFET 和 IGBT，可實現更高的切換頻率，並減少熱管理的複雜性。

此系列的額定電壓範圍為 700 V 至 3,300 V，支援高達 +175°C 的接面溫度。所有系列均具備核心特性，例如突崩耐受性、短路承受能力，以及穩定的本體二極體效能。然而，MA、MB、MC 系列針對不同設計重點提供特定最佳化，涵蓋成本敏感型工業系統、高效能汽車、再生能源應用等。

MA 系列特點
  • 特別針對超高電壓應用 (高達 3,300 V)
  • 針對高閘極驅動電壓 (18 V 至 20 V) 下的最低 RDS(ON) 進行最佳化
  • 適用於電網基礎設施、牽引驅動、航太系統
MB 系列特點
  • 廣泛的工業與汽車應用範圍 (通常為 1,200 V 至 1,700 V)
  • 建議的閘極驅動電壓：+18 V (導通)、-5 V (關斷)
  • 在馬達驅動器、電動車充電器、再生能源逆變器中兼顧效率與成本
MC 系列特點
  • 與 MB 的電壓範圍相似，但整合有一個閘極電阻以提高切換穩定性
  • 減少外部元件數量，並簡化高頻設計的佈局
  • 適用於小型轉換器與需要低 EMI 的系統
特點
  • 在整個溫度範圍內均具有低 RDS(ON)，以實現高效率
  • 具備突崩耐受性與短路承受能力，以提升故障容限
  • 快速切換、低閘極電荷，適用於高頻操作
  • 電壓範圍：700 V 至 3,300 V
  • 高達 +175°C 的高溫運作
應用
  • 工業馬達驅動與電源轉換系統
  • 再生能源逆變器 (太陽能與風能)
  • 電動車充電器與混合動力傳動系統
  • 智慧電網輸配電設備
  • 高電壓電源供應器與焊接系統

MA Series MOSFETs

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MB Series MOSFETs

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發佈日期： 2025-12-03

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