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IXTN500N20X4/IXTN400N20X4 X4 級功率 MOSFET

IXYS IXTN500N20X4/IXTN400N20X4 X4 級功率 MOSFET 具有出色的 dv/dt 效能，並且具有突崩額定值

IXYS IXTN500N20X4/IXTN400N20X4 X4 級功率 MOSFET 的圖片IXYS IXTN500N20X4 和 IXTN400N20X4 元件開發過程中所使用的電荷補償原理和自行研發的製程技術使功率 MOSFET 的電阻 RDS(ON) 和閘極電荷 Qg 顯著降低。低的導通電阻可降低輸出電容中保留的能量並減少導通損耗，將切換損耗降至最少。低的閘極電荷減少了對閘極驅動的需求並提高了低負載時的效率。這些 MOSFET 還具有更好的 dv/dt 效能並且具有突崩額定值。由於它們的導通電阻具有正的溫度係數，因此它們可以並聯使用來滿足更高的電流要求。

特點
  • 低導通電阻 RDS(ON) 和閘極電荷 Qg
  • dv/dt 耐受能力
  • 突崩能力
  • 國際標準封裝
應用
  • 切換式電源供應器中的同步整流
  • 馬達控制 (48 V 至 80 V 系統)
  • DC/DC 轉換器

IXTN500N20X4/IXTN400N20X4 X4-Class Power MOSFET

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發佈日期： 2024-10-30

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