IXSJxxN120R1 SiC MOSFET

來自 IXYS/Littelfuse 的 IXSJxxN120R1 系列碳化矽 (SiC) MOSFET 為高電壓、高效率的電源轉換系統提供了卓越的效能。這些元件具有高達 1200 V 的阻斷電壓和僅 18 mΩ 的低典型導通電阻，針對需要快速切換、低傳導損耗和優異散熱效能的應用進行了最佳化。這款元件具有低的閘極電荷和輸入電容，可降低閘極驅動功率並將切換損耗降至最低。它們非常適合用於電動車 (EV) 充電基礎設施、太陽能逆變器和高頻電源供應器。

IXSJxxN120R1 MOSFET 採用隔離式 TO-247-3L 封裝，提供增強的熱管理和電氣隔離功能，支援在惡劣環境下穩定運作。它們寬的閘極電壓範圍和低 EMI 的特性使其成為尋求提高系統效率和可靠度的設計人員一款多功能的選擇。無論用於馬達驅動器、電池充電器或不斷電系統，這些 SiC MOSFET 都能提供下一世代電力電子所需的效能和耐用度。