DCK 系列 SiC 肖特基能障二極體

IXYS, A Littelfuse Technology DCK 系列 650 V 和 1200 V SiC 肖特基能障二極體具有正溫度係數,可實現安全的運作方式,且可簡化並聯作業

IXYS DCK 系列 SiC 肖特基能障二極體的圖片IXYS, A Littelfuse Technology DCK 系列碳化矽 (SiC) 肖特基二極體具有可忽略的逆向回復電流、高突波承受能力,以及最高 175°C 的接面工作溫度。

IXYS, A Littelfuse Technology DCK 系列 650 V (10 A 和 20 A) 和 1200 V (10 A、15 A、20 A、30 A 和 40 A) SiC 肖特基能障二極體 (SBD) 採用 TO-220-2L、TO-247-2L 和 TO-247-3L 封裝,提供單極和共陰極的配置。與矽晶架構的解決方案相比,Littelfuse SiC SBD 可使電力電子系統實現更高的效率、高的切換頻率和更高的功率密度。它們採用先進的設計,可減少功率損耗,同時保持出色的切換效能。這使得它們適用於高頻、高效率的電源管理應用,如切換式電源供應器、太陽能逆變器、PV 逆變器、功率因數校正、AC/DC 轉換器和馬達驅動器,以及需要提高效率、可靠度和熱管理能力的情境。

特點
  • 正溫度係數可實現安全的運作方式,且可簡化並聯作業
  • 最高接面工作溫度為 +175°C
  • 高突波電流承受能力
  • 切換動作極快且不受溫度影響
  • 比起 Si 架構的二極體可大幅降低切換損耗
應用
  • PFC 或 DC/DC 級升壓二極體
  • 切換式電源供應器
  • 不斷電系統 (UPS)
  • 太陽能逆變器
  • 工業級馬達驅動器
  • 電池充電器
  • 高速整流能力

DCK Series SiC Schottky Barrier Diodes

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發佈日期: 2025-04-14