IXYS

600 V 超接面 X3 HiPerFET™ 離散式 MOSFET

IXYS 的 X3-Class N 通道 MOSFET 提供低導通電阻 [RDS(ON)] 和閘極電荷 (Qg)

IXYS 的 600 V 超接面 X3 HiPerFET™ 離散式 MOSFET 的圖片Littelfuse 旗下的 IXYS 推出 N 通道超接面 MOSFET，具有出色的效能指數 (RDS(ON) 乘以 Qg)，可轉化為最低的導通損耗和切換損耗，在電源系統中實現更高的功率密度和能效。最新的超接面 X3-Class 功率 MOSFET 具有大幅降低的通道電阻 RDS(ON) 和閘極電荷 Qg。與其前身 X2-Class 相比，此系列的效能指數 (FOM) – RDS(ON) x Qg 大幅降低。這些優勢讓設計人員能夠實現更高的效率和更佳的功率密度。此 HiPerFET™ 系列功率 MOSFET 具有本體二極體，可提供低逆向恢復電荷 (QRM) 和短逆向恢復時間 (trr)。超接面、X3-Class 600 V MOSFET 的應用包括電信電源供應器同步整流、馬達控制、不斷電系統、DC-DC 轉換器、太陽能逆變器和多位準逆變器。

資源

特點
  • 低導通電阻 [RDS(ON)] 和閘極電荷 (Qg)
  • 快速軟恢復本體二極體
  • dv/dt 耐受能力
  • 優異的突崩耐受能力
  • 國際標準封裝
應用
  • 輕型電動車的電池充電器
  • 開關中的同步整流
  • 電源供應器
  • 馬達控制
  • DC-DC 轉換器
  • 不斷電系統 (UPS)
  • 電動堆高機
  • Class D 音訊放大器
  • 電信系統

600 V Ultra Junction X3 HiPerFET™ Discrete MOSFETs

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發佈日期： 2021-12-07