工業和延伸測試 DDR3/3L SDRAM

此系列工業和延伸測試元件是高速 DDR3/3L 同步 DRAM，採用 Insignis 自行研發的延伸測試流程，減輕早期壽命故障，確保頂級品質，並針對工業用途提供長期可靠的效能。此晶片的設計符合所有 DDR3L DRAM 主要功能，包括與 DDR3 的完全向下相容，唯一的例外是 1 Gb DDR3 零件和 1 Gb DDR3L 零件之間所需的電壓。所有控制和位址輸入透過一對外接差動時脈達到同步。輸入在差動時脈的交叉點鎖存 (CK 上升及 CK# 下降)。所有 I/O 都以來源同步方式與差動 DQS 對同步。

所有 2 Gb DDR3 零件均由 2 Gb DDR3L 覆蓋。2 Gb DDR3 和 DDR3L 零件採用單一 +1.35 V 至 0.067 V/+0.1 V 電源供電。1 Gb DDR3 零件的所需電壓為 1.5 V，而 1 Gb DDR3L 零件的所需電壓為 1.35 V。所有零件均採用 BGA 封裝。