XHP™ 2 2300 V CoolSiC™ MOSFET

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            XHP™ 2 2300 V CoolSiC™ MOSFET
                    Infineon Technologies MOSFET 提供低電感、標準化封裝的半橋拓撲設計
    

Infineon XHP™ 2 2300 V CoolSiC™ MOSFET 的圖片 Infineon Technologies XHP 2 CoolSiC MOSFET 2300 V、1.0 mΩ 模組採用低電感標準化封裝，提供半橋拓撲結構。它利用強大的 .XT 互連技術，以提升壽命並達到同級最佳可靠性，並可選配預先塗佈的熱介面材料 (TIM)，以簡化組裝並改善熱穩定性。

特點

2.3 kV 溝槽式閘極 CoolSiC MOSFET，具有經過現場實證的長期穩定性與可靠性
低切換損耗與導通損耗，R_DS(ON) 低至 1.0 mΩ (+25°C)

低電感、標準化的 XHP 2 封裝
採用 .XT 互連技術，實現一流的可靠性與更長的使用壽命

應用

儲能系統
牽引

再生能源
光電逆變器

XHP™ 2 2300 V CoolSiC™ MOSFET

圖片	製造商零件編號	說明	現有數量	價格	查看詳情
新產品	FF1000UXTR23T2M1PBPSA1	FET 2N-CH 2.3KV 1.18KA AGXHP2K23	4 - 即時供貨	$32,976.93	查看詳情
新產品	FF1300UXTR23T2M1PBPSA1	FET 2N-CH 2.3KV 1KA AG-XHP2K23	4 - 即時供貨	$27,057.45	查看詳情
新產品	FF2000UXTR23T2M1BPSA1	FET 2N-CH 2.3KV 710A AG-XHP2K23	3 - 即時供貨	$21,850.94	查看詳情
新產品	FF2000UXTR23T2M1PBPSA1	FET 2N-CH 2.3KV 675A AG-XHP2K23	4 - 即時供貨	$22,090.27	查看詳情