TRENCHSTOP™ IGBT7

Infineon 的 IGBT7 具有更低的靜態損耗、更高的功率密度和更柔和的切換,可提供出色的功率密度

Infineon Technologies 的 TRENCHSTOP™ IGBT7 的圖片Infineon 為變速驅動器設計出 TRENCHSTOP™ IGBT7,有助於從化石燃料電力轉換為較環保的電力。藉由提升晶片最高工作溫度至 +175°C,達到更低的靜態損耗、更高的功率密度、更軟的切換,讓此元件的功率密度大幅增加。

每個開關都需要一個驅動器,而驅動器適合與否,會造成很大的影響。配合 TRENCHSTOP IGBT7,Infineon 還推出 EiceDRIVER™ 閘極驅動器 IC,包含低側驅動器、位準移位驅動器和隔離式驅動器。EiceDRIVER 系列提供廣泛的輸出電流選項 (0.1 A 至 14 A),以及不同的保護功能,如 DESAT、米勒箝位、OCP、關斷、整合式靴帶式二極體和隔離。

特點

  • 過載能力:
    • TRENCHSTOP IGBT7 可在過載條件下,以 TVJOP=+175°C 的溫度工作。這符合只在短期內需要高電流和高溫的驅動器應用之典型需求
  • 較低的導通電壓:
    • 與 IGBT4 相比,TRENCHSTOP IGBT7 的導通電壓降低約 20%。這能大幅降低目標應用的損耗,特別是通常以中等切換頻率運作的工業驅動器,對於提高功率密度和使用壽命至關重要
  • 增強的可控制性:
    • TRENCHSTOP IGBT7 提供極高的可控制性,可以滿足馬達絕緣要求或 EMI 限制,防止終將導致線圈絕緣損壞的任何電弧放電。可控制性亦即元件透過調節閘極電阻 (RG) 值來改變 dV/dt 的能力,可藉此簡化導入設計階段。
  • 更佳的二極體:
    • 相對於前一代 EC4,EC7 發射極控制的二極體已將順向電壓降低 100 mV。這也能降低逆向恢復損耗並提高彈性,有益於逆變器的 EMI 行為。
  • 功率提升:
    • 與前一代 IGBT 相比,在相同的框架尺寸下,同級最佳的 EconoDUAL™ 3 模組可提供高出 50% 的輸出電流。較高的功率密度有助於避免 IGBT 模組並聯,可簡化逆變器設計並降低成本
  • 更小的框架尺寸:
    • Easy 1B 和 2B 與前一代 IGBT4 引腳對引腳相容,支援隨插即用替換。使用 IGBT7 解決方案替換 TRENCHSTOP IGBT4 時,在相同的外罩和相同的系統冷卻下,輸出電流高出 30%。在相同的輸出電流下,本產品可以縮小 40%,或者第三種選項是使用較小的外罩獲得高出 11% 的輸出功率,來實現框架尺寸縮減
  • 低損耗:
    • 在給定的 dV/dt 極限下,導通損耗大幅降低。此外,二極體損耗也有所減少,使整體功率損耗降低 15%
  • 最佳化驅動:
    • CGE 和 CGC 達到平衡,讓 IGBT7 得以完全控制 d/dt,並最佳化切換波形。CGE 旨在避免寄生導通效應,可以採用零電壓關斷電源 (單極閘極驅動器電源)

    TRENCHSTOP™ IGBT7 in TO-247

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    Gate Drivers for TRENCHSTOP™ IGBT7

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    IGBT power modules with TRENCHSTOP™ IGBT7

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    Evaluation Boards

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    發佈日期: 2021-04-29