針對碳化矽開關最佳化的 EiceDRIVER™ X3 隔離式閘極驅動器 IC

Infineon Technologies 這款閘極驅動器提供高達 2,300 V 的電流性隔離能力、6.5 A 的輸出電流以及針對 SiC 最佳化的 UVLO 選項

Infineon Technologies 針對碳化矽開關最佳化的 EiceDRIVER™ X3 隔離式閘極驅動器 IC 的圖片 Infineon Technologies EiceDRIVER X3 小巧型閘極驅動器系列具有高 CMTI 穩健性和針對更高切換頻率最佳化的傳輸延遲,並結合了個別的輸出選項、主動式關斷、短路箝位功能,是設計用於 IGBT、矽晶和碳化矽 MOSFET。第二代 X3 小巧型系列提供採用 LDSO-8 300 mil 寬體封裝 (8 mm 沿面距離)和 DSO-8 150 mil 窄體封裝的元件,具有 CTI >600 和 UL 1577 認證。

有三款開發板可用於評估半橋式配置的 EiceDRIVER 1ED-X3 單通道閘極驅動器 IC。EVAL1ED3142MC12HSICTOBO1 EVAL1ED3144MC12HSICTOBO1 和 EVAL1ED3145MC12HSICTOBO1 各自包含兩個對應的 EiceDRIVER X3 小巧型閘極驅動器 IC、兩個 IMZA120R020M1H CoolSiC™ 1,200 V SiC 溝槽式 MOSFET 和一個電流性隔離式板載電源,由 EiceDRIVER 電源 2EP130R 變壓驅動器 IC 產生。每塊評估板均可以透過更換閘極驅動器 IC 來評估 1ED314xMC12H 系列中的其它種 IC。

優點
  • 易於設計、成本最佳化、支援 SiC
  • 高 CMTI 和隔離能力,實現同級最佳的穩健性
  • 最佳化傳播延遲以實現更高的切換頻率
  • 針對 SiC 最佳化的 UVLO 選項

應用

  • DC 快速充電器
  • 儲能
  • 太陽能
  • UPS 系統
  • 商用暖通空調
  • 驅動器
特點
  • 具有 6.5 A 輸出電流的單通道隔離式閘極驅動器
  • 電流功能性隔離電壓高達 2,300 V
  • 40 ns 傳播延遲,16 ns 輸入濾波
  • 個別的輸出、GND2 參考和可調式 UVLO 選項
  • 卓越的 CMTI 穩健性 >300 kV/µs
  • 35 V 絕對最大輸出電源電壓
  • LDSO-8 300 mil 封裝 (CTI 600) >8 mm 沿面距離
  • 符合 IEC 60747-17 標準的強化隔離能力 (計畫中)
    • VIORM:1,767 V
    • VISO:5.7 kVRMS (依據 UL-1577)

EiceDRIVER™ X3 Isolated Gate Driver ICs Optimized for Silicon Carbide Switches

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發佈日期: 2025-03-17