FDMS86181 PowerTrench® MOSFET
onsemi 推出 FDMS86181 MOSFET,提供更高的效率和更低的切換雜訊,能提升 EMI 與散熱效能
onsemi 在 1990 年代早期協助領先推出溝槽式 MOSFET,自此不斷精進 MOSFET 技術並進行生產,擁有豐富品項,涵蓋適合各種應用的上千種產品。
onsemi的 FDMS86181 先進 100 V 屏蔽式閘極 PowerTrench MOSFET 是豐富系列產品中的最新成員,具有目前同級最低的 RDS(ON) 和 Qrr 以及最快速的逆向復原,同時還提供最高效率。 FDMS86181 僅有少許甚至沒有電壓過衝,因此能針對需在電源供應器和馬達驅動上使用 100 V 等級 MOSFET 的應用降低電壓振鈴並提升 EMI。 提高的功率密度能達到更寬廣的 MOSFET 降額,因此設計人員無需超規格設計。
FDMS86181 是系列中首款即將擁有多種電壓和封裝選項的產品。
特點 | ||
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