FDMS86181 PowerTrench® MOSFET

onsemi 推出 FDMS86181 MOSFET,提供更高的效率和更低的切換雜訊,能提升 EMI 與散熱效能

Fairchild 的 FDMS86181 PowerTrench® MOSFET 圖片onsemi 在 1990 年代早期協助領先推出溝槽式 MOSFET,自此不斷精進 MOSFET 技術並進行生產,擁有豐富品項,涵蓋適合各種應用的上千種產品。

onsemi的 FDMS86181 先進 100 V 屏蔽式閘極 PowerTrench MOSFET 是豐富系列產品中的最新成員,具有目前同級最低的 RDS(ON) 和 Qrr 以及最快速的逆向復原,同時還提供最高效率。 FDMS86181 僅有少許甚至沒有電壓過衝,因此能針對需在電源供應器和馬達驅動上使用 100 V 等級 MOSFET 的應用降低電壓振鈴並提升 EMI。 提高的功率密度能達到更寬廣的 MOSFET 降額,因此設計人員無需超規格設計。

FDMS86181 是系列中首款即將擁有多種電壓和封裝選項的產品。

特點
  • 由於 Qrr 降低了 50% 因此能將振鈴降至最低,甚至比最相近的競品更低,且無需緩衝器
  • RDS(ON) 降低了 40%,能提升效率,因此是業界目前 100 V 等級中最低的產品(比 onsemi前代產品更低,達到業最最佳程度)
  • Irrm 降低 45% 能降低 EMI
  • 更優異的 FOM 可達到有效的快速切換
  • 同級最佳的 P 和 N 通道技術
  • 更高的工作溫度

FDMS86181 PowerTrench MOSFET

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發佈日期: 2016-03-22