PERSYST xSPI MRAM：適合關鍵任務應用的高可靠度記憶體

Everspin Technologies 推出 PERSYST xSPI MRAM 高可靠度記憶體系列，專為航太、國防、新太空及其他關鍵任務系統而設計，能在極端環境與操作條件下提供穩健的資料保存能力。本產品建構於 Everspin 經過實證的自旋轉移矩磁阻式隨機存取記憶體 (STT MRAM) 技術之上，提供真正的非揮發性、快速隨機存取，以及業界領先的耐用度，且無需電池、重新整理週期、平均抹寫或資料風險狀態。

這些 PERSYST 系列增強版本在 Everspin 標準 MRAM 元件基礎上，加入專為高可靠度環境設計的額外篩選與認證流程。每個元件皆經歷 48 小時的預燒測試程序，旨在辨識並剔除早期失效品，從而提升任務執行期間的可靠度，並確保可預測的長期效能表現。元件支援 -40°C 至 +125°C 的運作溫度範圍，使其能夠在航空電子模組、高空平台、推進控制系統、高溫工業設備中，應對嚴峻的熱環境挑戰。本產品的製造與測試皆符合 AEC-Q100 Grade 1 規範。

為支援暴露於輻射環境的應用，Everspin 提供輻射特性報告，詳細說明超過 1 Mrad 的總游離劑量 (TID) 效能、單一事件效應 (SEE) 測試及相關運作極限數據。此報告協助系統設計人員評估適用於太空、航太、醫療及其他戰略級計畫的零件，這些領域皆要求在輻射環境下具備可預測的行為表現。

作為 PERSYST xSPI MRAM 系列的高可靠度延伸產品，這些元件可直接替換傳統 FRAM、SRAM、nvSRAM 系統。憑藉近乎無限的耐用度與即時非揮發性，這些元件可消除快閃記憶體與 EEPROM 解決方案相關的複雜性，在簡化韌體開發的同時，提升系統的長期韌性。耐用的設計、增強的篩選程序、在溫度與輻射條件下皆可預測的效能，使其能滿足對可靠度無法妥協的設計需求。