高功率 eGaN® FET

EPC 的 eGaN 功率電晶體持續提升電源轉換效能的水準

EPC 的第四代 eGaN® FET 圖片EPC 的高功率 eGaN FET 系列具有更低的導通電阻、更低的電容量、更高的電流以及優異的散熱效能,能讓電源轉換器的效率達到 98% 以上。此全新系列 eGaN FET 將電阻 (RDS (ON)) 減半,達到高電流、高功率密度的應用。相較於前一代產品,最新一代 eGaN FET 的硬切換效能指數 (FOM) 減半,因此能在高頻電源轉換應用中提升切換效能。將 GaN 效能優勢延伸至 30 V,可促成隔離式電源供應器、PC 和伺服器用的高功率 DC-DC 轉換器、負載點 (POL) 轉換器以及同步整流器。

特點

  • 更低的導通電阻 (RDS(ON))
  • 提升效能指數 (FOM)
  • 30 V 至 200 V

eGaN FET

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更新日期: 2019-04-30
發佈日期: 2014-08-25