EPC9052/53/54 開發板

EPC 的 GaN 架構差動模式開發板，可在高達 30 MHz 下操作。 這些板件能讓電源系統設計人員輕鬆評估氮化鎵電晶體的極佳效能，並協助產品快速進行量產。 這些開發板的設計適用於 E 類應用，例如無線充電，但亦可用於需要低側開關的任何應用。 此類應用包括推挽式轉換器；電流模式 D 類放大器；共源極雙向開關；一般高壓窄脈寬應用，例如 LiDAR 等等。

這些開發板具備 200 V 額定值 eGaN FET。 放大器可設定以差動模式操作，並可重新設定成以單端模式操作，此外也含有閘極驅動器和邏輯電源穩壓器。 全部三個板件皆有共同的偏好規格。 工作負載條件，包括配置，能決定最佳的設計負載電壓和電阻。