EPC2100 電晶體與 EPC9036 開發板

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            EPC2100 電晶體與 EPC9036 開發板
  
                    EPC 的單晶片 eGaN® 半橋

EPC 的 EPC2100 電晶體與 EPC9036 開發板影像 EPC 的增強模式單晶片半橋 GaN 電晶體將 eGaN^® 技術與傳統矽晶的效率差異再度拉大。單晶片半橋元件可節省空間、提升效率，並降低系統成本。

提升效率 - 單晶片半橋元件可消除互連電感，藉此達到更高效率；在較高頻率中尤其顯著。

節省板空間 - 單晶片元件能節省 PCB 上 60% 的功率級空間。

簡化 GaN - 單晶片元件提升生產效率，同時降低組裝成本。

	圖片	製造商零件編號	說明	FET 特點	汲極至源極電壓 (Vdss)	現有數量	價格
		EPC2100	MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE	-	30V	220 - 即時供貨	$88.58	查看詳情

	圖片	製造商零件編號	說明	功能	嵌入式	使用的 IC／零件	現有數量	價格	查看詳情
		EPC9036	EVAL BOARD FOR EPC2100	半橋驅動器 (外部 FET)	否	EPC2100	0 - 即時供貨	See Page for Pricing	查看詳情

更新日期： 2019-04-30

發佈日期： 2014-09-23

EPC9037/EPC9041 開發板 EPC 的開發板採用單晶片半橋拓撲和板載閘極驅動，並具有 EPC2100/1/5 eGaNIC（增強模式氮化鎵積體電路）。

eGaN Integrated GaN Power eGaN technology offers higher power density through size reduction and speed reduction, and parasitic reduction.