EPC2033/EPC2034 150 V 和 200 V eGaN FET

EPC2033 和 EPC2034 進一步擴充 EPC 的「寬鬆間距」元件系列，採用 1 mm 焊球間距。 採用更寬的間距，因此可在元件底下置放額外且更大的通孔，所以即使覆蓋區極小，只有 2.6 mm x 4.6 mm，依然能達到高載流能力。最高工作溫度為 150°C，脈衝電流能力為 200 A (150 V EPC2034) 和 140 A (EPC2033)。

相較於具有相似導通電阻的先進矽功率 MOSFET，這些產品的尺寸更小，並具有高出數倍的切換效能。 這些元件適合的應用如高頻 DC-DC 轉換器、DC/DC 和 AC/DC 轉換器的同步整流、馬達驅動、LED 照明和工業自動化。

為了簡化這些高效能 eGaN FET 的評估流程，本公司提供 EPC9047 開發板，支援 EPC2033 的簡易「電路內」效能評估。此板件含有所有關鍵元件，可輕鬆連接到任何既有的轉換器。

EPC9047 是半橋拓撲，尺寸為 2" x 1.5"。 此元件含有兩個 EPC2033 eGaN FET，採用 Texas Instruments 的 UCC27611 閘極驅動器，以及電源和旁路電容。 此板件內含所有關鍵元件和佈局，能達到最佳化切換效能，並且具有多種探針點，有助於簡化波形量測和效率計算作業。