碳化矽 (SiC) MOSFET 和二極體

Diodes Incorporated WBG 材料由於多種原因而比矽具有優勢，例如允許 SiC 承受比矽高五倍 (3 kV) 的電壓，並具有更高的崩潰電壓 (BV)。SiC 的切換速度比矽快 10 倍，因此可將切換損耗降至最低。好三倍的熱傳導率也意味著更好的功耗和更小的散熱片。因此，由於更好的導熱性和封裝密度，SiC 比 GaN 更適合高功率應用。

SiC MOSFET

與矽質 MOSFET 相比，選擇 SiC MOSFET 有許多優點，包括更高的切換頻率和較小的電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸。

Diodes 1200 V SiC MOSFET 專為需要最高效率和小巧設計的高電壓切換電源應用而設計。它們具有高輸出電流、低導通電阻和業界標準 TO263-7、TO247 和 TO247-4 封裝，非常適合馬達驅動器、DC/DC 轉換器、太陽能逆變器和電動汽車電池充電器應用。

SiC 二極體

Diodes SiC 蕭特基二極體的電壓範圍為 650 V 至 1200 V。它們有多種封裝可供選擇，包括絕緣型 TO220、標準型 TO220 和 TO252，為尋求效率、穩健性和快速上市時間的設計人員提供了極大的靈活度。Diodes 汽車級 650 V 和 1200 V SiC 二極體符合 AEC-Q101 標準。