DMTHxxxxSPGWQ 100 V PowerDI 8080 車用 MOSFET

Diodes 擴大其具備優異熱效率之 PowerDI8080-5 封裝 MOSFET 產品組合，推出超低 R_DS(ON)、符合車規的 100 V MOSFET，以及額定電壓 40 V 至 80 V 的 MOSFET。本產品組合鎖定 ICE、電動車、混合動力車中的高功率 BLDC 馬達與 DC/DC 轉換器。

諸如電池斷路開關、車載充電器、48 V 高功率 BLDC 馬達驅動等應用，可透過利用額定電壓 100 V 之 DMTH10H1M7SPGWQ MOSFET 的 1.5 mΩ 最大汲極源極導通電阻，來降低導通損耗並將效率最大化。

額定電壓 40 V 的 DMTH4M40SPGWQ 鷗翼式封裝 MOSFET 具有 0.4 mΩ 的最大 R_DS(ON)，為業界最低之一。這對於 12 V BLDC 馬達及 DC/DC 應用而言非常理想。額定電壓 60 V 的 DMTH6M70SPGWQ 則為 24 V 應用提供高效能表現。

PowerDI8080-5 封裝的 PCB 覆蓋區為 64 mm²，比 TO-263 封裝形式所佔用的面積減少 40%。它的板外高度亦為 1.7 mm，比 TO-263 (D2PAK) 低 63%。

裸晶與端子之間的銅夾鍵合有助於實現低至 0.3°C/W 的接面至外殼熱阻，使 PowerDI8080-5 能夠處理高達 847 A 的電流，並提供比 TO-263 封裝大八倍的功率密度。

亦提供符合標準規範的版本，可用於工業及商業應用。