DFN0606 NPN 與 PNP 電晶體

Diodes 的 DFN0606 電晶體僅佔用 0.36 mm² 板空間，比競品 DFN1006 (SOT883) 的尺寸小 40%，但提供相同甚至更優異的電氣效能。 板外高度僅有 0.4 mm，因此非常適合用於穿戴式技術，例如智慧型手錶、健康和健身裝置，以及其他空間受限的消費性產品，如智慧型手機和平板裝置。

Diodes 初期提供兩種 DFN0606 雙極電晶體款式：NPN 和 PNP，能提供高達 830 mW 的功率耗散效能。 額定值 40 V 的 MMBT3904FZ 和 MMBT3906FZ 大幅提升功率密度，並提供 200 mA 的高集極電流；額定值 45 V 的 BC847BFZ 和 BC857BFZ 則 100 mA 集極電流。 所有元件皆可在低於 1 V 的基射極電壓下啟動，因此可在超低可攜式電源下完全啟動。

特點

• 覆蓋區僅有 0.36 mm²，板外高度 0.4 mm - 此小型尺寸能讓設計人員縮減 PCB 面積，同時比更大封裝的同等電晶體達到更高效能。
• 更高功率密度 – DFN0606 無引線封裝的熱阻僅有 135°C/W，散熱效率優異，因此能達到更高的功率密度。
• 啟動 VBE 小於 1 V - BJT 能讓低電壓應用在低於 1 V 下啟動，因此可攜式應用可在低電源情況下完全啟動。