高效能記憶體解決方案

Infineon 在離散式記憶體半導體領域擁有超過 40 年的經驗，以領先業界的頂級記憶體產品，服務於汽車、工業、消費性、通訊應用。 Infineon 在 1982 年推出了他們的第一款隨機存取記憶體，並從這個有利的起點發展成為涵蓋 NOR 快閃記憶體、pSRAM、SRAM、nvSRAM、F-RAM 等廣泛產品的公司。憑藉無與倫比的品質、長期供貨協議、對未來新技術投資的堅定承諾，Infineon 記憶體解決方案將在未來數十年內持續保持其領導地位。

他們獨特的揮發性、非揮發性記憶體產品組合包括：

  • SEMPER™ 系列安全、可靠的 NOR 快閃記憶體
  • EXCELON™ 系列超低功率、高效能、可靠的 F-RAM 產品
  • HYPERBUS™ 介面 HYPERFLASH™ NOR 快閃記憶體
  • HYPERRAM™ pSRAM 記憶體
  • NOR 快閃記憶體
  • F-RAM
  • nvSRAM
  • SRAM
  • pSRAM

NOR 快閃記憶體

Infineon 的 NOR 快閃記憶體產品經過精心架構和設計，可確保最高水準的安全性、可靠性、保密性。長期供貨計畫提供長期供應穩定性的保證，並輔以零缺陷政策，以確保卓越的品質。提供全面的設計工具和支援資源，以簡化設計流程、加快產品上市速度。 Infineon 的 NOR 快閃記憶體擁有專為工業、汽車、通訊、資料中心應用量身打造的廣泛產品組合，可在各種條件下提供可靠效能，帶來競爭優勢。

SEMPER™ 是 Infineon 的新一代 NOR 快閃記憶體系列，其架構和設計旨在實現功能安全，確保每個系統每次都能啟動為已知狀態並可靠運作。當信任和完整性至關重要時，SEMPER™ Secure 元件可增加硬體信任根和加密引擎，以實現經過驗證的存取、遠端身分驗證、透過雲端到晶片安全性的安全 OTA 更新。 對於穿戴式裝置和其他微型電池供電式裝置，SEMPER™ Nano 提供最小的尺寸、最低的功耗，以最大化電池續航力。

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NOR 快閃記憶體產品

主要特點

  • 64 Mb 至 4 Gb 的非揮發性儲存
  • 高效能的序列式與平行式介面
  • 整合式功能安全特性，符合 ASIL-D 標準
  • 高達 256 萬次編程／抹除循環耐用性
  • 資料可保存 25 年
  • 工作溫度支援高達 +125°C
  • 晶片上硬體錯誤修正碼 (ECC)
  • eXecute-in-Place (XiP)

優點

  • 實現即時啟動，讀取傳輸量高達 400 MB/s 並支援 XiP
  • 即使在嚴峻的操作條件下，也能可靠地儲存數據長達 25 年
  • 與來自廣泛晶片組合作夥伴生態系統的熱門 SoC 配對使用
  • 透過 SafeBoot 和錯誤檢查，確保安全可靠的運作
  • 使用 SEMPER™ Solutions Hub SDK 加快上市速度
  • 確保產品供應及使用壽命超過 10 年
NOR 快閃記憶體
產品系列 密度 介面 電壓 速度 目標應用
SEMPER™ NOR 快閃記憶體 256 Mb -
4 Gb		 QSPI、Octal xSPI、HYPERBUS™ 1.8 V、
3.0 V		 高達 400 MB/s 機器人、工業自動化與驅動器、汽車 ADAS 安全關鍵操作、高速、快速啟動
SEMPER™ Secure NOR 快閃記憶體 128 Mb -
256 Mb		 1.8 V、
3.0 V		 高達 400 MB/s 網路、監視、智慧型工廠、資料中心 安全的啟動與儲存、安全的端對端轉換
SEMPER™ Nano 256 Mb QSPI 1.8 V 高達 52 MB/s 聽戴式裝置、穿戴式裝置、智慧感測器、可攜式醫療 小巧、可靠、低功率、內建 ECC
HYPERFLASH™ 128 Mb -
512 Mb		 HYPERBUS™ 1.8 V、
3.0 V		 高達 333 MB/s 工業 HMI、數位顯示器、汽車儀表群 即時啟動、影像與圖形儲存
標準序列式 NOR 快閃記憶體 64 Mb -
1 Gb		 QSPI、Dual QSPI 1.8 V、
3.0 V		 高達 204 MB/s 工業、運算、通訊與汽車 可靠的啟動程式碼和數據儲存
標準平行式 NOR 快閃記憶體 64 Mb -
2 Gb		 16/8 位元分頁模式 3.0 V 低至 70 ns / 15 ns 工業、醫療、航太與國防 可靠的啟動程式碼和數據儲存

F-RAM

F-RAM (鐵電隨機存取記憶體或 FeRAM) 是一種獨立的非揮發性記憶體，可讓設計人員在電源中斷時立即擷取、保存關鍵數據。它們是需要連續低功率數據記錄的關鍵任務應用之理想選擇。F-RAM 採用緊湊的外形尺寸，可提供零延遲寫入、幾乎無限的耐用性、完全的磁干擾耐受性，同時不影響可靠性、效能、能效。

Infineon 的新一代 EXCELON™ F-RAM 系列結合了業界最低的靜態電流、高速且低引腳數的介面、即時非揮發性儲存，以及無限的讀寫週期耐用性，確保高系統可靠性及超低能源消耗。

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FRAM 產品

主要特點

  • 4 Kb 至 16 Mb 的非揮發性儲存
  • 高效能的序列式與平行式介面
  • 無延遲寫入，以匯流排速度將數據寫入記憶體單元
  • 讀／寫耐久度超過 1014 (100 兆) 個週期
  • +85°C 下，資料保存時間超過 10 年
  • 工作溫度支援高達 +125°C
  • 不受磁場干擾及輻射影響

優點

  • 斷電時立即擷取系統數據
  • 在整個系統生命週期內，持續記錄數據
  • 在嚴峻的工業、汽車環境中可靠運作
  • 能耗比 EEPROM 低 200 倍，比 NOR 快閃記憶體低 3,000 倍
  • 簡化系統設計，無需平均抹寫韌體開銷
  • 確保產品供應及使用壽命超過 10 年
F-RAM
產品系列 密度 介面 電壓 速度 目標應用
EXCELON™ Ultra F-RAM 2 Mb –
16 Mb		 QSPI 1.8 V、
3.0 V		 高達 108 MHz 工業自動化與驅動器、企業伺服器與 RAID 儲存、機器人
EXCELON™ Auto F-RAM 1 Mb –
16 Mb		 SPI、QSPI 1.8 V、
3.0 V		 高達 108 MHz 汽車 EDR、前視攝影機、ADAS、車用資訊娛樂、電池管理系統
EXCELON™ LP F-RAM 2 Mb –
16 Mb		 SPI 1.8 V、
3.3 V		 高達 50 MHz 智慧儀表、智慧醫療、穿戴式裝置、IoT 感測器、太陽能逆變器、MFP
標準 F-RAM 4 Kb –
4 Mb		 I²C、SPI、平行式
(x8、x16)		 3.3 V、
5.0 V		 高達 40 MHz、低至 60 ns 工業自動化與驅動器、智慧儀表、汽車、太陽能逆變器、儲能

nvSRAM

nvSRAM (非揮發性 SRAM) 是一種獨立的非揮發性記憶體，可在電源中斷時立即擷取系統數據並將其副本儲存到非揮發性記憶體中，也允許在電源恢復後重新調用數據。Infineon 的 nvSRAM 結合了業界領先的 SRAM 技術與同級最佳的 SONOS 非揮發性記憶體技術，提供全面的可靠、高效能數據記錄記憶體產品組合，消除了系統對備用電池或更大超級電容的需求。

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nvSRAM 產品

主要特點

  • 64 Kb 至 16 Mb 的非揮發性儲存
  • 高效能的序列式與平行式介面
  • 平行式介面解決方案，擁有最快 20 ns 的存取時間
  • SRAM 陣列具有無限讀取／寫入耐久性
  • +85°C 下，資料保存時間超過 20 年
  • 選擇性即時時脈 (RTC)
  • 不受磁場干擾及輻射影響

優點

  • 斷電時立即擷取系統數據
  • 在整個系統生命週期內，持續記錄數據
  • 在嚴峻的工業、汽車環境中可靠運作
  • 無需電池或大型超級電容
  • 簡化系統設計，無需平均抹寫韌體開銷
  • 確保產品供應及使用壽命超過 10 年
nvSRAM
產品系列 密度 介面 電壓 速度 目標應用
平行式 nvSRAM 256 Kb –
16 Mb		 平行式
(x8、x16、x32)		 3.0 V、雙 3.0 V 和 1.8 V I/O 低至 20 ns 工業自動化與驅動器、網路、賭場遊戲機
序列式 nvSRAM 64 Kb –
1 Mb		 I²C、SPI、QSPI 3.0 V、5.0 V、雙 3.0 V 和 1.8 V I/O 高達 104 MHz 網路、監視、智慧型工廠、資料中心 安全的啟動與儲存、安全的端對端轉換

SRAM

SRAM (靜態 RAM) 是一種獨立的隨機存取記憶體，為設計人員提供簡單的方式，以在應用中增加更多的 RAM。 與 DRAM 不同，SRAM 不需要定期重新整理，使其在緩衝區和快取記憶體應用中更加快速、節能且更可靠。 Infineon 提供業界最廣泛的非同步和同步 SRAM 產品組合，並致力於穩定的產品供應和長期支援。

Infineon 最新一代 65 nm SRAM 具有晶片上硬體 ECC (錯誤修正碼)，可大幅提高軟錯誤率 (SER) 效能，實現 ≤ 0.1 FIT/Mb。

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SRAM 產品

主要特點

  • 最廣泛的非同步、同步 SRAM 產品組合
  • 高效能非同步匯流排，存取時間為 10 ns
  • 使用 QDR™-IV 同步 SRAM，可達 1,066 MHz 的速度
  • 超低功率待機電流 (最大 6.5 µA，8 Mb)
  • 晶片上硬體 ECC
  • 相容於傳統 SRAM 產品

優點

  • 最大化電池供電型數據擷取使用案例的電池續航力
  • 增加即時數據存取的記憶體頻寬
  • 實現高達 2,132 MT/s 的隨機交換率 (QDR™-IV)
  • 確保數據可靠性，SER 效能 ≤ 0.1 FIT/Mb
  • 確保產品供應及使用壽命超過 10 年
SRAM
產品系列 密度 介面 電壓 速度 目標應用
MoBL™ 非同步 SRAM 256 Kb –
64 Mb		 平行式
(x8、x16、x32)		 1.8 V、3.0 V、5.0 V 低至 45 ns 工業自動化與驅動器、網路、賭場遊戲機、胰島素幫浦
快速非同步 SRAM 256 Kb –
32 Mb		 平行式
(x8、x16、x32)		 1.8 V、3.0 V、5.0 V 低至 10 ns 工業自動化、網路、企業伺服器、航太與國防
同步 SRAM 4 Mb –
144 Mb		 平行式
(x18、x36、x72)		 1.3 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V 高達 2,132 MT/s 網路、影像處理、醫療儀器、企業伺服器、航太與國防

pSRAM

Infineon 提供全面的 HYPERRAM™/Octal xSPI 偽靜態 RAM (pSRAM) 記憶體產品組合，密度範圍為 64 Mb 至 512 Mb。HYPERRAM™ 擁有高頻寬、低引腳數介面的獨特設計，非常適合各種需要額外 RAM 用於緩衝數據、音訊、影像、視訊，或作為數學及數據密集型操作暫存區的應用，尤其是工業和汽車領域。這些節能的 pSRAM 也是電池供電式消費性電子產品、穿戴式裝置的理想擴充記憶體選擇。

Infineon 的 HYPERRAM™ 採用一種低訊號數的 DDR 介面，稱為 HYPERBUS™，與像 SDR DRAM 這樣的競爭技術相比，它能在每個處理器引腳上實現高速的讀寫傳輸量。

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pSRAM 產品

主要特點

  • 可擴展密度選項為 64 Mb 至 512 Mb
  • 低引腳數 HYPERBUS™ 或 Octal xSPI 匯流排
  • 6 mm x 8 mm 的小巧尺寸
  • 工作頻率高達 200 MHz DDR
  • 節能混合睡眠模式
  • 工作溫度支援高達 +125°C

優點

  • 實現高達 800 MB/s 的數據傳輸量，用於高速緩衝
  • 相較於競爭對手的擴充 RAM，消耗更少的處理器引腳
  • 憑藉緊湊的 48 mm2 外形尺寸，節省電路板空間
  • 與來自廣泛晶片組合作夥伴生態系統的 HYPERBUS™ SoC 配對使用
  • 確保產品供應及使用壽命超過 10 年
pSRAM
產品系列 密度 介面 電壓 速度 目標應用
HYPERRAM™ 2.0 64 Mb - 512 Gb HYPERBUS™
Octal xSPI		 1.8 V、3.0 V 高達 400 MB/s 穿戴式裝置、IoT 裝置、HMI 顯示器、工業機械視覺、汽車儀表群
HYPERRAM™ 3.0 256 Mb HYPERBUS™
x16 外部 I/O		 1.8 V 高達 800 MB/s 工業機械視覺攝影機、IoT 元件、車用 V2X