CotoMOS® S117T/S117S 碳化矽 MOSFET 繼電器
Coto Technology S117T 和 S117S SiC MOSFET 繼電器是設計用於處理和維持 1700 V 的負載電壓,同時支援高達 170 mA 的電流
Coto Technology S117T (通孔式版本) 和 S117S (表面黏著式版本) 碳化矽 (SiC) MOSFET 繼電器是設計用於處理高達 1700 V 的負載電壓,同時支援高達 170 mA 的電流。S117T 和 S117S SiC 繼電器提供多種優勢,包括低切換損耗、高崩潰電壓和低 RDS(ON) 電阻。SiC 材料卓越的耐用度保證了在具有挑戰性的環境中有可靠的效能,甚至在不同的濕度和廣泛的溫度範圍內也是如此。這些繼電器特別適合需要高電壓、高溫和高頻功能的應用。主要目標市場包括電池管理系統、工廠自動化控制、電動車充電站、太陽能逆變器和智慧電網。
- 觸點形式:1 A
- 負載電壓:1700 V (AC 峰值或 DC)
- 低導通電阻:典型值 15 Ω
- 輸出電容量:20 pF
- 低斷態漏電流:最大 1 μA
- 封裝類型:6-DIP 或 SMD
- 碳化矽 FET 輸出
- 電池管理系統
- 工廠自動化控制
- 電動車充電站
- 太陽能逆變器和智慧電網