AEM Central Semiconductor

表面黏著式 GaN N 通道功率 FET

Central Semiconductor 這款 FET 專為對效率要求高標準的高頻應用而設計

Central Semiconductor 表面黏著式 GaN N 通道功率 FET 的圖片將高電壓能力與低 RDS(ON) 結合，Central Semiconductor 這款 N 通道 GaN FET 專為具有高效率標準的高頻應用而設計。這些 GaN FET 提供支援 60 A 的 100 V 型號或支援 11 A 或 17 A 的 650 V 型號。它們採用各種薄型表面黏著式封裝。

特點
  • 高電壓能力：700 V
  • 低閘極電荷和低至 3.2 mΩ 的 RDS(ON)
  • 高效率快速切換
  • 節省空間的 DFN 和 CSP 封裝
應用
  • 替代能源逆變器
  • 電池管理系統 (BMS)
  • 高效率電源供應器
  • 電動車充電

Surface-Mount GaN N-Channel Power FET

圖片製造商零件編號說明FET 類型技術汲極至源極電壓 (Vdss)現有數量價格查看詳情
SURFACE MOUNT MOSFETCCSPG1510N TR PBFREESURFACE MOUNT MOSFETN 通道GaNFET (氮化鎵)150 V2485 - 即時供貨$82.77查看詳情
發佈日期： 2024-09-06