AEM Central Semiconductor

碳化矽 N 通道 MOSFET

Central Semiconductor 高效能 1,700 V SiC MOSFET 經過最佳化，適用於高效而可靠的電動車與電力電子應用

Central Semiconductor 碳化矽 N 通道 MOSFET 的圖片Central Semiconductor N 通道碳化矽 MOSFET 是專為高速切換與快速逆向恢復應用而設計。

特點
  • 超低導通電阻，可降低導通損耗並提升能效
  • 低輸入電容量，適用於高速及對頻率敏感的切換應用
  • 優異的熱穩定性，工作接面溫度高達 +175°C
  • 採用 TO-247 封裝，具有高達 1,700 V 的阻斷電壓，適用於各種電源與電池系統應用
  • 針對高效、經濟的電動車電力電子設備進行最佳化
應用
  • 電動車充電

Silicon Carbide N-Channel MOSFETs

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發佈日期： 2025-11-19