AEM Central Semiconductor

氮化鎵 (GaN) N 通道 FET

Central Semiconductor 的這款 FET 專為具有高效率標準的軟開關應用而設計

Central Semiconductor 氮化鎵 (GaN) N 通道 FET 的圖片Central Semiconductor 的這款 GaN N 通道 FET 將高電壓能力與低 RDS(ON) 相結合，專為具有高效率標準的軟開關應用而設計。節省空間的 DFN 和晶片級封裝非常適合大功率的無線充電、功率因數校正 (PFC) 和電動車逆變器應用。這些 GaN FET 提供支援 60 A 的 100 V 型號或支援 11 A 或 17 A 的 650 V 型號。40 V 選項支援 20 A 或 50 A，並可依需求提供裸晶。

特點

  • 高電壓能力
  • 低閘極電荷
  • RDS(ON) 可低至 3.2 mΩ
  • 高效率快速開關

Gallium Nitride (GaN) N-Channel FETs

圖片製造商零件編號說明現有數量價格查看詳情
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650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET INCDF56G6517N TR13 PBFREE650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET IN2498 - 即時供貨$46.40查看詳情
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發佈日期： 2023-12-19