HMC637 砷化鎵功率放大器

ADI 的 HMC637 是砷化鎵 (GaAs) 疊接分散式功率放大器。此元件屬於單晶片微波積體電路 (MMIC)，含有擬態高電子遷移率電晶體 (pHEMT)。此功率放大器在一般操作中會自我偏壓，並具有可選配的偏壓控制，可達到靜態電流 (IDQ) 調整，並具有二階截斷 (IP2) 及三階截斷 (IP3) 最佳化。此放大器的工作範圍介於 DC 至 7.5 GHz，可提供 15.5 dB 小訊號增益、1 dB 增益壓縮下輸出功率為 28 dBm，典型輸出 IP3 為 39 dBm，並具有 3.5 dB 雜訊指數典型，同時還需要從 12 V 電源電壓 (VDD) 提供 345 mA。HMC637 在 ±0.5 dB 典型值下具有 DC 至 7.5 GHz 優異的增益平坦度，因此適合航空、工業和測試設備應用。HMC637 亦具有輸入／輸出 (I/O)，內部匹配至 50 Ω，採用符合 RoHS 指令、5 mm × 5 mm 的引線框架晶片尺寸封裝 (LFCSP)。