ADRF5020 和 ADRF5130 矽晶 SPDT 開關

Analog Devices 的 ADRF5020(矽晶 100 MHz 至 30 GHZ)和 ADRF5130(0.7 GHz 至 3.5 GHz 和 44 W 峰值,適用於高功率)

Analog Devices Inc 的 ADRF5020/ADRF5130 矽晶 SPDT 開關影像Analog Devices 的 ADRF5020 是一般用途、單極、雙擲 (SPDT) 開關,採用矽晶製程製造。 此元件採用 3 mm × 3 mm、20 引線柵格陣列 (LGA) 封裝,並提供高度隔離和低插入損耗,介於 100 MHz 至 30 GHz。 此寬頻開關需要雙電源電壓(+3.3 V 和 -2.5 V),並提供 CMOS/LVTTL 邏輯相容控制。 應用包括 RF 和微波測試與量測設備、PIN 二極體架構開關替代品、軍事無線電、雷達、電子反制系統、5G 行動基礎設施,以及 RF 前端。

特點
  • 超低廣頻頻率範圍︰100 MHz 至 30 GHz
  • 低插入損耗和扁平特性
  • 以先進的矽晶技術製造
  • 小型 RoHS 封裝,採用 STM 外型

ADRF5130 是高功率、反射式、0.7 GHz 至 3.5 GHz、矽晶、單極、雙擲 (SPDT) 開關,並採用無引線的表面黏著封裝。 此開關非常適合高功率和行動基礎設施應用,如長期演進技術 (LTE) 基座台。 ADRF5130 具有 43 dBm 的高功率處理能力(最大)、0.6 dB 的低插入損耗、68 dBm 輸入三階截斷點(典型),和 46 dBm 的 0.1 dB 壓縮 (P0.1dB)。 ADRF5130 的晶片上電路以單一 5 V 正電源操作,典型電源電流為 1.06 mA,因此是 PIN 二極體架構開關的理想替代方案。 此元件採用符合 RoHS 指令、小型、24 引線、4 mm × 4 mm LFCSP 封裝。 應用包括提供 LNA 保護的行動基礎設施 MIMO 系統 RF 前端元件、行動中繼器天線開關、可攜式和模組化 RF 測試與量測設備,以及高功率 RF 應用中的 PIN 二極體替代品。

特點
  • 44 W 峰值功率處理能力
  • 低電源電流和電壓
  • 無需外接元件即可產生偏壓
  • 以先進的矽晶技術製造
  • 小型 RoHS SMT 封裝

ADRF5020 Eval Board

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ADRF5130 Eval Board

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ADRF5130 RF Switches

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發佈日期: 2016-11-18