DataFlash® E 系列

Adesto Technologies 的 DataFlash E 系列是非揮發性記憶體元件的最新產品，具有更低的電源需求以及智慧功能，可達到更高的系統效率並降低系統成本。DataFlash E 系列提供多種功能和選項，包括多種業界首創能力，例如寬廣的 V_CC 電壓範圍以及「超深度斷電」模式。E 系列產品還包括全新的「智慧」功能，可提升系統效能，例如無需大區塊抹除的高效率「位元組寫入」功能，以及業界標準的「抹除、編程、暫停、恢復」命令。

位元組寫入：在序列快閃記憶體裝置中納入真正的序列 E²PROM 功能

有了 Adesto 的 E 系列元件後，編程器僅需發出一道軟體命令即可抹除／寫入單一位元組。與標準序列快閃記憶體產品不同，不需要進行 4 Kb 區塊抹除。也就是說，主機控制器所需進行的記憶體管理作業更少，因此有能力進行更高優先權的操作。記憶體管理作業減少亦代表軟體在控制器 SRAM 中的佔用空間縮小，因此能讓設計人員彈性使用更小的微控制器或直接捨棄外部 SRAM。

超深度斷電

E 系列提供最大節能效果，能透過簡易軟體指令達到超深度斷電。E 系列的斷電模式能達到奈安培等級，比其他競品低一個數量級。斷電模式可用軟體控制，因此設計人員無需外接硬體元件，如低壓降 (LDO) 穩壓器或電晶體。

延伸的 V_CC 操作範圍

DataFlash E 系列能針對行動或電池供電式裝置以非調節方式運作，藉此在 1.65 V 至 3.6 V 不中斷電壓下達到最長電池續航力。相較於標準 V_CC 零件，延伸電壓範圍能發揮最大的電池續航力，最大至 1000 %，同時能省去低壓降 (LDO) 穩壓器的成本。

低功率讀取

針對採用更小、更慢的 MCU/CPU 且未在高 MHz 範圍內操作的應用而言，DataFlash 可支援低功率讀取命令，相較於標準讀取命令選項，能在低於 10 MHz 時脈頻率下提升節能效果 (一般達 20% 以上)。

E 系列提供多種密度選項，非常適合數位語音、影像、程式碼、資料儲存以及其他記憶體應用。

特點
1 Mbit 至 64 Mbit 密度 小型分頁陣列架構 延伸的 VCC 操作範圍、連續 1.65 V 至 3.6 V 以及 2.3 V 至 3.6 V 業界首創序列快閃記憶體單命令位元組抹除、修改、寫入操作。 可個別抹除的分頁，分別為 256/264 或 512/528 位元組 晶片上獨立的雙重 SRAM 緩衝區 SRAM 緩衝器大小等同快閃記憶體分頁大小 多重命令指令集可降低 CPU 負擔		增強型低功率讀取操作 零功率斷電選項：待機模式低於 500 nA 軟體重置能力 抹除、編程、暫停、恢復命令可達到同時讀取／寫入操作 104 MHz、85 MHz SPI、雙通道和四通道 I/O 支援 獨立區塊保護和 OTP 區塊鎖定 128 位元組 OTP 安全暫存器 每分頁至少達 100,000 循環 JEDEC 製造商和裝置 ID 標準