GaN FET
Nexperia 的 GaN FET 可提高效能、效率和可靠性
Nexperia 的 GaN FET 可實現更小、更快、更涼爽、更輕巧的系統,並降低整體系統成本。高效用電是關鍵的工業挑戰,也是創新的驅動力。社會壓力和法規均要求提高功率轉換和控制的效率。對於某些應用,功率轉換效率和功率密度對市場採用度來說至關重要。主要範例包括汽車電氣化、高電壓通訊和工業基礎設施領域的趨勢。
- 能以 4 V 閾值電壓輕鬆驅動
- 優異的本體二極體 (低 VF) 可減少反向導通模式下的損耗
- 超低 QRR 可進行快速切換
- 800 V 暫態過電壓能力
- 堅固的閘極氧化層 (±20 V 能力)
- 伺服器和電信電源供應器
- 電池儲存和 UPS
- 工業自動化
- 車載充電器 (OBC)
- DC/DC 電源轉換
- 牽引逆變器
GaN FETs
圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 汲極至源極電壓 (Vdss) | 電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | 驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | GAN063-650WSAQ | GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 650 V | 34.5 A (Tc) | 10V | 538 - 即時供貨 | $107.76 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | GAN041-650WSBQ | GAN041-650WSB/SOT429/TO-247 | 650 V | 47.2A (Tc) | 10V | 311 - 即時供貨 | $133.44 | 查看詳情 |