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SUD35N10-26P-E3
Vishay Siliconix
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SIHD5N80AE-GE3
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SUD35N10-26P-T4GE3

DigiKey 零件編號
SUD35N10-26P-T4GE3-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商
Vishay Siliconix
製造商零件編號
SUD35N10-26P-T4GE3
說明
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 100 V 35 A (Tc) 8.3W (Ta)、83W (Tc) 表面黏著式 TO-252AA
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)
100 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
35 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
7V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
26mOhm @ 12A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2000 pF @ 12 V
FET 特點
-
功率耗散 (最大值)
8.3W (Ta)、83W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等級
-
資格
-
安裝類型
表面黏著式
供應商元件封裝
TO-252AA
封裝／外殼
TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
基礎產品編號
SUD35
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