SIZ900DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | 離散式半導體產品

SIZ900DT-T1-GE3已停產，且不再生產。

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SIZ900DT-T1-GE3
DigiKey 零件編號	SIZ900DT-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SIZ900DT-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SIZ900DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SIZ900DT-T1-GE3
說明	MOSFET 2N-CH 30V 24A 6POWERPAIR
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 30V 24 A、28 A 48W、100W 表面黏著式 6-PowerPair™
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列
製造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	停產
技術	MOSFET (金氧)
配置	兩個 N 通道 (半橋)
FET 特點	邏輯電平閘極
汲極至源極電壓 (Vdss)	30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	24 A、28 A
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	7.2mOhm @ 19.4A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	45nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	1830pF @ 15V
功率 - 最大值	48W、100W
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型	表面黏著式
封裝／外殼	6-PowerPair™
供應商元件封裝	6-PowerPair™
基礎產品編號	SIZ900