
SIZ200DT-T1-GE3 | |
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DigiKey 零件編號 | SIZ200DT-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SIZ200DT-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SIZ200DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
製造商 | |
製造商零件編號 | SIZ200DT-T1-GE3 |
說明 | MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR |
製造商的標準前置時間 | 28 週 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | MOSFET - 陣列 30V 22 A (Ta)、61 A (Tc)、22 A (Ta)、60 A (Tc) 4.3W (Ta)、33W (Tc) 表面黏著式 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
規格書 | 規格書 |
EDA/CAD 模型 | SIZ200DT-T1-GE3 型號 |
類型 | 說明 | 全選 |
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類別 | ||
製造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包裝 | 編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel® | |
零件狀態 | 有源 | |
技術 | MOSFET (金氧) | |
配置 | 2 N-通道 (雙) | |
FET 特點 | - | |
汲極至源極電壓 (Vdss) | 30V | |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | 22 A (Ta)、61 A (Tc)、22 A (Ta)、60 A (Tc) | |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 5.5mOhm @ 10A、10V、5.8mOhm @ 10A、10V | |
Vgs(th) (最大值) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 28nC @ 10V、30nC @ 10V | |
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 1510pF @ 15V、1600pF @ 15V | |
功率 - 最大值 | 4.3W (Ta)、33W (Tc) | |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
安裝類型 | 表面黏著式 | |
封裝/外殼 | 8-PowerWDFN | |
供應商元件封裝 | 8-PowerPair® (3.3x3.3) | |
基礎產品編號 |
數量 | 單價 | 總價 |
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1 | $12.84000 | $12.84 |
10 | $7.49100 | $74.91 |
100 | $5.40180 | $540.18 |
500 | $4.24278 | $2,121.39 |
1,000 | $3.86962 | $3,869.62 |
數量 | 單價 | 總價 |
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3,000 | $3.39584 | $10,187.52 |
6,000 | $3.15743 | $18,944.58 |
9,000 | $3.05613 | $27,505.17 |