TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

SIHB080N60E-GE3

DigiKey 零件編號
742-SIHB080N60E-GE3-ND
製造商
Vishay Siliconix
製造商零件編號
SIHB080N60E-GE3
說明
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
製造商的標準前置時間
20 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 600 V 35 A (Tc) 227W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
規格書
 規格書
EDA/CAD 模型
SIHB080N60E-GE3 型號
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
Vishay Siliconix
系列
E
包裝
管裝
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
35 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
80mOhm @ 17A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2557 pF @ 100 V
FET 特點
-
功率耗散 (最大值)
227W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
等級
-
資格
-
安裝類型
表面黏著式
供應商元件封裝
TO-263 (D2PAK)
封裝／外殼
TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
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