TPD3215M Transphorm | 離散式半導體產品

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產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列
製造商	Transphorm
系列	-
包裝	散裝
零件狀態	停產
技術	GaNFET (氮化鎵)
配置	兩個 N 通道 (半橋)
FET 特點	-
汲極至源極電壓 (Vdss)	600V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	70 A (Tc)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	34mOhmA 30 A、8V
Vgs(th) (最大值) @ Id	-
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	28nC a 8V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	2260pF a 100V
功率 - 最大值	470W
工作溫度	-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型	通孔式
封裝／外殼	模組
供應商元件封裝	模組
基礎產品編號	TPD3215