TK65G10N1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage | 離散式半導體產品

TK65G10N1,RQ已停產，且不再生產。

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TK65G10N1,RQ
DigiKey 零件編號	TK65G10N1RQTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) TK65G10N1RQCT-ND - 切帶裝 (CT) TK65G10N1RQDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	TK65G10N1,RQ
說明	MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 100 V 65 A (Ta) 156W (Tc) 表面黏著式 D2PAK
EDA/CAD 模型	TK65G10N1,RQ 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVIII-H
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	停產
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	100 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	65 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	4.5mOhm @ 32.5A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 1mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	5400 pF @ 50 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	156W (Tc)
工作溫度	150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	D2PAK
封裝／外殼	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
基礎產品編號	TK65G10