RN1905(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage | 離散式半導體產品

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參數同等

RN1905,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

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參數同等

RN1905,LXHF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

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MUN5235DW1T1G

onsemi

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DCX123JU-7-F

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圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

RN1905(T5L,F,T)
DigiKey 零件編號	RN1905(T5LFT)TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) RN1905(T5LFT)CT-ND - 切帶裝 (CT) RN1905(T5LFT)DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	RN1905(T5L,F,T)
說明	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
客戶參考號碼
詳細說明	電晶體 - 雙極 (BJT) - 陣列、預偏壓 2 NPN 預偏壓 (雙) 50V 100mA 250MHz 200mW 表面黏著式 US6
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	RN1905(T5L,F,T) 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體雙極 (BJT) 預先偏壓式雙極電晶體陣列
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	-
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
電晶體類型	2 NPN 預偏壓 (雙)
電流 - 集極 (Ic) (最大值)	100mA
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值)	50V
電阻 - 基座 (R1)	2.2kOhm
電阻 - 發射器基座 (R2)	47kOhm
DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce	80 @ 10mA、5V
Vce 飽和 (最大值) @ Ib、Ic	300mV @ 250µA、5mA
電流 - 集極截止 (最大值)	500nA
頻率 - 轉換	250MHz
功率 - 最大值	200mW
安裝類型	表面黏著式
封裝／外殼	6-TSSOP、SC-88、SOT-363
供應商元件封裝	US6
基礎產品編號	RN1905