PMT760EN,115 NXP USA Inc. | 離散式半導體產品

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產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	NXP USA Inc.
系列	-
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態	停產
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	100 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	900mA (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	950mOhm @ 800mA、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	3 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	160 pF @ 80 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	800mW (Ta)、6.2W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	SC-73
封裝／外殼	TO-261-4、TO-261AA
基礎產品編號	PMT7