PMG370XN,115 NXP USA Inc. | 離散式半導體產品

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產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	NXP USA Inc.
系列	TrenchMOS™
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態	停產
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	30 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	960mA (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	2.5V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	440mOhm @ 200mA、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id	1.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	0.65 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)	±12V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	37 pF @ 25 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	690mW (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	6-TSSOP
封裝／外殼	6-TSSOP、SC-88、SOT-363
基礎產品編號	PMG37