APTM120U10DAG Microsemi Corporation | 離散式半導體產品

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產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Microsemi Corporation
系列	-
包裝	散裝
零件狀態	停產
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	1200 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	160 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	120mOhm @ 58A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	5V @ 20mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	1100 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±30V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	28900 pF @ 25 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	3290W (Tc)
工作溫度	-40°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	底盤安裝式
供應商元件封裝	SP6
封裝／外殼	SP6