IRFH5104TR2PBF Infineon Technologies | 離散式半導體產品

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IRFH5104TR2PBF
DigiKey 零件編號	IRFH5104TR2PBFTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) IRFH5104TR2PBFCT-ND - 切帶裝 (CT)
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IRFH5104TR2PBF
說明	MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 40 V 24 A (Ta)、100 A (Tc) 3.6W (Ta)、114W (Tc) 表面黏著式 PQFN (5x6)
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	HEXFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT)
零件狀態	停產
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	40 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	24 A (Ta)、100 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	3.5mOhm @ 50A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 100µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	3120 pF @ 25 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	3.6W (Ta)、114W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PQFN (5x6)
封裝／外殼	8-VQFN 裸焊盤