IRF6619TR1PBF Infineon Technologies | 離散式半導體產品

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

IRF6619TR1PBF
DigiKey 零件編號	IRF6619TR1PBFTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IRF6619TR1PBF
說明	MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 20 V 30 A (Ta)、150 A (Tc) 2.8W (Ta)、89W (Tc) 表面黏著式 DIRECTFET™ MX
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	HEXFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態	停產
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	20 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	30 A (Ta)、150 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	2.2mOhm @ 30A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.45V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	57 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	5040 pF @ 10 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	2.8W (Ta)、89W (Tc)
工作溫度	-40°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	DIRECTFET™ MX
封裝／外殼	DirectFET™ 等距 MX