Name: IMBG65R026M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R026M2HXTMA1TR-ND
Price: 89.4 HKD
Availability: InStock

新產品

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IMBG65R026M2HXTMA1
DigiKey 零件編號	448-IMBG65R026M2HXTMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IMBG65R026M2HXTMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IMBG65R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IMBG65R026M2HXTMA1
說明	SILICON CARBIDE MOSFET
製造商的標準前置時間	23 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 68 A (Tc) 263W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-7-12
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	CoolSiC™
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	SiCFET (碳化矽)
汲極至源極電壓 (Vdss)	650 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	68 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	15V、20V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	24mOhm @ 34.5A、20V
Vgs(th) (最大值) @ Id	5.6V @ 7mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	42 nC @ 18 V
Vgs (最大值)	+23V、-7V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	1499 pF @ 400 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	263W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-TO263-7-12
封裝／外殼	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA