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EPC2110
EPC
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eGaN Series
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eGaN Series
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2110ENGRT

DigiKey 零件編號
917-EPC2110ENGRTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
917-EPC2110ENGRCT-ND - 切帶裝 (CT)
917-EPC2110ENGRDKR-ND - Digi-Reel®
製造商
EPC
製造商零件編號
EPC2110ENGRT
說明
MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
客戶參考號碼
詳細說明
MOSFET - 陣列 120V 3.4A 表面黏著式 模具
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
EPC
系列
eGaN®
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
零件狀態
停產
技術
GaNFET (氮化鎵)
配置
兩個 N 通道 (雙) 共源極
FET 特點
-
汲極至源極電壓 (Vdss)
120V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
3.4A
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
60mOhm @ 4A、5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 700µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.8nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
80pF @ 60V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
表面黏著式
封裝／外殼
模具
供應商元件封裝
模具
基礎產品編號
EPC211
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