採用 PowerPAK® 封裝的第三代 P 通道 -40 V 和 -30 V MOSFET

Vishay 延伸其 TrenchFET^® 第三代 P 通道功率 MOSFET 系列，推出採用 PowerPAK^® 1218-8 和 PowerPAK 1212-8S 封裝的 -40 V 和 -30 V 元件。Vishay Siliconix SiS443DN 在 -10 V 和 -4.5 V 閘極驅動下具有業界最低的導通電阻，是首款 40 V 第三代 P 通道元件，SiSS27DN 則是首款採用 PowerPAK 1212-8S 封裝的 -30 V MOSFET。

SiS443DN 與 SiSS27DN 經過最佳化設計，適合 24 V、19 V 以及 12 V 負載開關，以及多種應用中的配接器與電池開關，包括行動運算、智慧型手機以及平板電腦的電源管理應用。此元件具有在業界最低的導通電阻，能讓設計人員在電路中達到更低的壓降，進而提升電源使用效率並達到更長的電池使用時間。

針對需要更高額定電壓的應用，-40 V SiS443DN 能在 3.3 mm x 3.3 mm 的 PowerPAK 1212-8 封裝中提供最高 11.7 mΩ (-10 V) 和 16 mΩ (-4.5 V) 的導通電阻值。在注重導通電阻值的應用中，SiSS27DN 能在厚度僅 0.75 mm 的 PowerPAK 1212-8S 薄型封裝中提供 5.6 mΩ (-10 V) 和 9 mΩ (-4.5 V) 的超低導通電阻值。