100 V TrenchFET® 功率 MOSFET

Vishay Siliconix 的 SiB456DK 和 SiA416DJ 是業界首款 100 V、N 通道元件，分別採用覆蓋區為1.6 mm x 1.6 mm 的小型熱強化 PowerPAK® SC-75 封裝以及 2 mm x 2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝。 這兩款元件的導通電阻分別低於 200 mΩ 和 100 mΩ。

本系列 MOSFET 經過最佳化，適用於升壓轉換器、低功率 DC/AC 逆變器、通訊磚 (telecom brick) 所用的初級側開關和小型 DC/DC 轉換器、負載點應用以及可攜式裝置的 LED 照明。 對設計人員而言，元件採用超小型 PowerPAK SC-75 和 PowerPAK SC-70 封裝，能在上述應用中節省 PCB 空間，並能透過低導通電阻的特點達到低導通耗損，進而降低功耗並提升效率。 此外，本系列 MOSFET 的導通電阻額定值低至 4.5 V，能簡化閘極驅動。

SiB456DK 和 SiA416DJ 100% 通過 Rg 和 UIS 測試。 本系列 MOSFET 符合 JEDEC JS709A 的無鹵素規定以及 RoHS 2011/65/EU 指令。