第三代碳化矽 (SiC) 肖特基二極體

Vishay 的第三代 650 V 碳化矽肖特基二極體採用合併式 PIN 肖特基 (MPS) 設計。它們結合高突波電流穩健性、低順向壓降、電容式電荷、逆向漏電流，以提高切換式電源設計的效率和可靠性。這些元件的 MPS 結構具有透過雷射退火技術削薄的背面，與前代解決方案相比，順向壓降降低了 0.3 V。此外，它們的順向壓降與電容式電荷的乘積降低了 17%。二極體的逆向漏電流在室溫下通常比最接近的競爭解決方案低 30%，在高溫下則低 70%。如此可減少導通損耗，以確保輕負載和空轉期間的高系統效率。第三代元件幾乎沒有恢復尾段，可進一步提高效率。相較於具有類似崩潰電壓的矽二極體，SiC 元件具有更高的熱傳導係數、更低的逆電流、更短的逆向恢復時間。它們採用 TO-22OAC 2L、TO-247AD 3L 通孔、D2PAK 2L (TO-263AB 2L) 表面黏著式封裝。